Inom elektronik och halvledarteknik är de viktigaste fördelarna med SiC:
Hög värmeledningsförmåga 120-270 W/mK
Låg termisk expansionskoefficient 4,0x10^-6/ grad
Hög maximal strömtäthet
Kombinationen av dessa tre egenskaper ger SiC överlägsen elektrisk ledningsförmåga, speciellt jämfört med kisel, SiC:s mer populära kusin. SiC-materialets egenskaper gör det mycket fördelaktigt för applikationer med hög effekt där hög ström, hög temperatur och hög värmeledningsförmåga krävs.
Under de senaste åren har SiC blivit en nyckelspelare inom halvledarindustrin, som driver MOSFET, Schottky-dioder och effektmoduler för användning i högeffektiva och högeffektiva applikationer. Även om de är dyrare än kisel-MOSFET, som vanligtvis är begränsade till en genomslagsspänning på 900 V, kan SiC uppnå tröskelspänningar på nästan 10 kV.
SiC har också mycket låga kopplingsförluster och kan stödja höga driftsfrekvenser, vilket gör att den kan uppnå oöverträffad effektivitet idag, särskilt i applikationer som arbetar vid spänningar över 600 volt. När de används på rätt sätt kan SiC-enheter minska omvandlar- och växelriktarsystemförlusterna med nästan 50 %, - storlek med 300 % och totala systemkostnaden - med 20 %. Denna minskning av den totala systemstorleken gör SiC extremt användbar i vikt- och utrymmeskänsliga tillämpningar.