Egenskaper hos kiselkarbid

Kiselkarbid från - för kemisk stabilitet, hög värmeledningsförmåga, liten värmeutvidgningskoefficient, god slitstyrka, utöver abrasiv användning finns det många andra användningsområden, såsom: speciell teknologi för att applicera kiselkarbidpulver på innerväggen av turbinhjulet eller cylinderkroppen, kan förbättra dess slitstyrka genom att 1 - 2 förlänga dess livslängd; Används för att göra högkvalitativa brandsäkra material, värmebeständig jordbävning, liten storlek, lätt vikt och hög hållfasthet, energibesparande effekt är bra. Kiselkarbid av låg kvalitet (innehåller cirka 85 % SiC) är en utmärkt deoxidant som kan påskynda ståltillverkningen och enkelt kontrollera den kemiska sammansättningen och förbättra stålets kvalitet. Dessutom används kiselkarbid i stor utsträckning för att tillverka kiselstavar för elektrotermiska celler.
Hårdheten hos kiselkarbid är mycket hög, Mourinho-hårdheten är 9,5, näst efter den hårdaste diamanten i världen (nivå 10), har utmärkta värmeledningsegenskaper, är en halvledare som kan motstå oxidation vid höga temperaturer.
Kiselkarbid har minst 70 kristallina typer. -Kiselkarbid är den vanligaste isomeren, som bildas vid höga temperaturer över 2000 grader och har en kristallstruktur av hexagonalt kristallsystem (fiberzinkmalm). - Kiselkarbid, en kubisk kristallstruktur som liknar en kubisk kristallstruktur under [03]. grad. När man använder heterofaskatalysatorer - Kiselkarbid från - för dess förhållande - Kiselkarbid har en större area än ytan. Det finns en annan kiselkarbid, μ- Kiselkarbid, den mest stabila, kan ge trevligare ljud när den kolliderar. Men hittills har dessa två typer av kiselkarbid inte använts kommersiellt.
Eftersom den specifika vikten för kiselkarbid är 3,1 g/cm3 och sublimeringstemperaturen är relativt hög (cirka 2700 grader), är den idealisk som råmaterial för lager eller högtemperaturugnar. Vid något uppnåeligt tryck smälter den inte och har ganska låg kemisk reaktivitet. På grund av - kiselkarbids höga värmeledningsförmåga, höga destruktiva elektriska fältintensitet och höga strömtäthet, har försök gjorts att använda den som ett alternativ till kisel, särskilt i högeffekts halvledarceller. Dessutom har kiselkarbid en stark affinitet för mikrovågsstrålning och dess stigpunkt gör den lämplig för uppvärmning av metaller.
Ren kiselkarbid är färglös, men i industriell produktion på grund av närvaron av orena ämnen som järn är dess färg vanligtvis brun till svart. Kristallens yta har en regnbågsglans från - på grund av bildandet av ett skyddande lager av kiseldioxid.
SiC - är en halvledare som ändrar energinivåstrukturen hos SiC-materialet genom dopning och ytterligare justerar dess egenskaper, huvudsakligen med hjälp av joninjektion för att dopa A, B, N och andra atomer. Bland dem: - recipientatomer såsom Al är mer benägna att ersätta Si-positionen i SiC-gittret, vilket bildar en djup jordenerginivå och producerar en halvledare av typen P -; - donatoratomer som N och P är mer benägna att ockupera C-kristallgitterpositionen och bilda en ytlig donatornivå för att erhålla en halvledare av N --typ. Det är värt att notera att SiC har ett brett dopningsområde (1X1014 - 1X1019 cm- 3), vilket saknas i andra bredbandshalvledare, och inom detta område är det lätt att realisera N-typ och P-typ dopning, till exempel lågresistivitet 4H - SiC-enkristaller efter AI.